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功能簡(jiǎn)介1. 電池內(nèi)阻值/電壓值測(cè)試。2. 電池內(nèi)阻電壓平衡值測(cè)試。3. 自動(dòng)安需求分料，如本機(jī)15顆電池。4. NG自動(dòng)頂出補(bǔ)料重測(cè)。5. 自動(dòng)根據(jù)條碼篩選測(cè)試規(guī)格。6、電芯與支架自動(dòng)上料、吸取電芯、自動(dòng)裝入支架。7、電...

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開關(guān)組功能測(cè)試：1、表面無劃傷按鍵鐳雕正確，無缺損。2、掃碼啟動(dòng)：設(shè)備自動(dòng)掃碼（能實(shí)現(xiàn)在倍速鏈上自動(dòng)掃碼）；3、工裝定位與防護(hù)：框架仿形定位，產(chǎn)品表面防護(hù);4、全檢項(xiàng)目：CCD影像檢測(cè)背光、背光亮度，字符是否...

KC3111

設(shè)備簡(jiǎn)介KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)（面向工廠生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號(hào)源輸出方面，高壓源標(biāo)配2000V（選配3.5KV）,高...

KC3120

設(shè)備簡(jiǎn)介KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、...

KC3110

設(shè)備簡(jiǎn)介KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量和參數(shù)分析，漏電流測(cè)試...

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非標(biāo)治具定制根據(jù)客戶項(xiàng)目需求定制開發(fā)各種不同型號(hào)的手動(dòng)和氣動(dòng)測(cè)試治具，如凸輪搖桿治具，快速夾治具，氣動(dòng)治具，插拔治具，過爐治具和其它簡(jiǎn)易工裝治具，各種ICT、FCT治具，治具單雙面均可測(cè)，選材做到既節(jié)約成本...

KC2902

系統(tǒng)簡(jiǎn)介1. MASTER檢測(cè);2.單電芯OCV內(nèi)阻測(cè)試（選測(cè)）;3.模組或標(biāo)準(zhǔn)箱內(nèi)電芯間絕緣測(cè)試;4.模組或標(biāo)準(zhǔn)箱內(nèi)所有電芯正極對(duì)機(jī)殼絕緣測(cè)試;5.模組或標(biāo)準(zhǔn)箱內(nèi)所有電芯正極對(duì)機(jī)殼耐壓測(cè)試;6.線束通斷與粘連檢測(cè)MASTER檢測(cè)（設(shè)...

KC2919

系統(tǒng)簡(jiǎn)介1．循環(huán)壽命實(shí)驗(yàn)、容量測(cè)試、內(nèi)阻測(cè)試、正弦波放電測(cè)試（O-3KHz)電池性能測(cè)試;2．測(cè)試系統(tǒng)可支持各種動(dòng)態(tài)程序，以滿足對(duì)電池各種模擬測(cè)試的需要;3. 恒電流、恒電壓、恒定功率、正弦波放電（頻率可設(shè)置)、電流...

KC3106

IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。