設(shè)備簡介
KC3120功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動態(tài)參數(shù)測試，如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。
通過更換不同的測試單元以達(dá)到對應(yīng)測試內(nèi)容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項(xiàng)目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結(jié)果。
參考標(biāo)準(zhǔn)
IEC 60747-8/9 半導(dǎo)體分立器件第8/9部分/JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
設(shè)備特點(diǎn)
KC-3120系 統(tǒng) 包 含 ： 硬 件 平 臺 + 實(shí) 時 軟 件 ， 其 中 硬 件 平 臺 包含 ： 信號源（模塊）、FTP低壓電源、FTP高壓電源、示波器、測量采集控制模塊、測試夾具（可加熱）等，主要特點(diǎn)如下:
高靈活度：多種驅(qū)動板配置，覆蓋高壓／中壓／低壓器件測試和雪崩測試（可選）；
高精度測試：高共模仰制比的高壓差分光隔離探頭（可選）滿足SiC/GaN半導(dǎo)體器件更高母線電壓和更快開關(guān)時間的測量挑戰(zhàn)要求；低回路電感設(shè)計（＜5OnH寄生電感）；
高效率：可進(jìn)行開關(guān)參數(shù)／動態(tài)柵極電荷／動態(tài)導(dǎo)通電阻／短路／雪崩測試，單次測試即可完成開關(guān)特性和反向恢復(fù)特性測試；
具備數(shù)據(jù)管理功能，上位機(jī)可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)曲線、報告及自動保存；
保護(hù)功能：具備器件防呆，對于帶電、高溫開箱、測試參數(shù)異常、驅(qū)動電路異常可實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能，
內(nèi)部模塊化設(shè)計，支持支持?jǐn)U展外接標(biāo)準(zhǔn)儀表，客制化；
軟件系統(tǒng)
技術(shù)參數(shù)
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您好！上述產(chǎn)品資料僅列舉部分主要測試功能，設(shè)備全部支持的項(xiàng)目不在此處詳細(xì)列舉，
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